Το νιτρίδιο του γαλλίου, ως υλικό ημιαγωγού μεγάλου κενού του πυρήνα, έχει δει ταχεία επέκταση της χωρητικότητας για συσκευές ισχύος και τσιπ ραδιοσυχνοτήτων καθ' όλη τη διάρκεια του 2026. Σε αντίθεση με τις γκοφρέτες μονοκρυσταλλικού πυριτίου, τα υποστρώματα GaN φτάνουν σε σκληρότητα Mohs μεταξύ 8,5-9,0, χαρακτηρίζοντας τη σταθερή χημική ενέργεια, η οποία φέρνει δυσκολία στη χημική ενέργεια. διαδικασίες επιπεδοποίησης. Τα συνηθισμένα επιθέματα CMP πολυουρεθάνης γενικής χρήσης για πυρίτιο δεν μπορούν να ανταποκριθούν στις απαιτήσεις επεξεργασίας GaN και η αντιστοίχιση υλικών έχει γίνει ένα από τα κύρια σημεία συμφόρησης που περιορίζει την απόδοση της μαζικής παραγωγής.
Στην πραγματική ανατροφοδότηση λειτουργίας fab, οι ακατάλληλα προσαρμοσμένες φόρμουλες μαξιλαριών προκαλούν εύκολα δύο τυπικά ελαττώματα: ανεπαρκής ρυθμός αφαίρεσης υλικού που οδηγεί σε χαμηλή απόδοση ή υπερβολική μηχανική τριβή που προκαλεί μικρογρατσουνιές και υποεπιφανειακή ζημιά στις επιφάνειες γκοφρέτας GaN. Για δομές GaN-on-Si και GaN-on-SiC που αναπτύσσονται επιταξιακά, ακόμη και οι μικροσκοπικές επιφανειακές γρατσουνιές θα επιδεινώσουν άμεσα την ηλεκτρική απόδοση των επόμενων συσκευών. Τα δεδομένα βιομηχανικών δοκιμών δείχνουν ότι τα κατάλληλα επιθέματα πολυουρεθάνης που είναι ειδικά για GaN πρέπει να εξισορροπούν τη δομή των πόρων, τη σκληρότητα και την χημική αντίσταση ταυτόχρονα. Το μέγεθος των πόρων ελέγχεται συνήθως εντός 25 μm-50 μm για να επιτευχθεί σταθερή συγκράτηση του πολτού και αποτελεσματική εκκένωση υπολειμμάτων, αποφεύγοντας το φράξιμο των πόρων κατά τη μακροχρόνια συνεχή στίλβωση.
Πολλοί κατασκευαστές αναλωσίμων ημιαγωγών προσαρμόζουν τώρα συστήματα διασύνδεσης θερμοσκληρυνόμενης πολυουρεθάνης για σενάρια GaN. Ο σχεδιασμός της σκληρότητας πρέπει να επιτύχει μια λεπτή ισορροπία: τα υπερβολικά σκληρά μαξιλάρια δημιουργούν γρατζουνιές, ενώ τα υπερβολικά μαλακά μαξιλάρια θυσιάζουν την ικανότητα συνολικής επιπεδοποίησης σε ολόκληρη τη γκοφρέτα. Σύνθετες δομές πολλαπλών στρωμάτων που συνδυάζουν άκαμπτο στρώμα στίλβωσης κορυφής και συμβατό υποεπιφάνεια έχουν γίνει σταδιακά βασικές λύσεις για την επεξεργασία GaN CMP.
Αντλώντας από τη συσσωρευμένη εμπειρία μας στην ανάπτυξη υλικών πολυουρεθάνης υψηλής απόδοσης, βελτιστοποιούμε τη σύνθεση πολυμερούς βάσης και τις παραμέτρους μικροαφρισμού που στοχεύουν τα χαρακτηριστικά στίλβωσης GaN. Η λύση υλικού μας επικεντρώνεται στη σταθερή συνοχή των πόρων, την καλή αντοχή σε αλκαλικό και όξινο πολτό CMP και χαμηλή απόδοση αποβολής σωματιδίων. Υποστηρίζει fabs για την απόκτηση λείων επιφανειών GaN σε επίπεδο ατόμου, διατηρώντας παράλληλα αποδεκτή απόδοση αφαίρεσης, βοηθώντας τους πελάτες να συντομεύουν τους κύκλους διόρθωσης σφαλμάτων για τη μαζική παραγωγή σύνθετων ημιαγωγών.